那个时候，客户们每排队堵在N康门口等待最新产品下线的热情，就与十几年之后，客户们眼巴巴等着A斯麦EUVGKJ交货的迫切并无二致。
但谁也不曾想，二十年时间不到，风光对调，作为米国忠实盟友的A斯麦就一跃翻身，执掌起代工厂的生杀大权，更成为大国博弈之间的关键杀眨
A斯麦曾经过，“如果我们交不出EUV，摩尔定律就会从此停止”，
但这真的只是一个盛产风车、郁金香国家，凭借一个三十多饶创始团队，就可以诞生的一个制造业奇迹，半导体明珠吗？
其实，从那台等了整整三年还未曾交付的EUV背后，我们不难看出背后真正的赢家。
在灰姑娘翻身做王后的背后，绵延十多年的，是封锁与反抗，也是复仇与合作。
从市场角度出发，作为另一个时空，上世纪九十年代最大的GKJ巨头-N康的衰落，就始于那一回157nm光源干刻法与193nm光源湿刻法的技术之争。
背后起主导作用的，是由Y特尔创始人之一戈登·摩尔(Gordon moore)提出的的一个叫做摩尔定律的产业规范：
集成电路上可容纳的元器件的数量每隔18至24个月就会增加一倍（相应的芯片制程也会不断缩）。而每一次制程前进，也会带来一次芯片性能性能的飞跃。
这是对芯片设计的要求，但同时也在要求GKJ的必须领先设计环节一步，交付出相应规格的设备来。
几十纳米时代的GKJ，门槛其实并不高，三十多饶A斯麦能轻易入局这个行业，连设计芯片的Y特尔也可以自己做出几台尝尝鲜，难度左右不过是把买回来的高价零件拼拼凑凑，堆出一台难度比起照相机高深些许的设备而已。
而N康与他们不同的是，对手靠的是产业链一起发力，而N康的零件技术全部自己搞定，就像如今的p果，芯片、操作系统大包大揽，随便拿出几块镜片，虽不见得能吊打蔡司，但应付当时的芯片制程却是绰绰有余的。
但造芯片也好，造GKJ也好，关卡等级其实是指数级别增加的，上世纪90年代，GKJ的光源波长被卡死在193nm，成为了摆在全产业面前的一道难关。
雕刻东西，花样要精细，刀尖就得锋利，但是要如何把193nm的光波再“磨”细呢？大半个半导体业界都参与进来，分成两队人马跃跃欲试：
N康等公司主张用在前代技术的基础上，采用157nm的 F2激光，走稳健道路。
而新生的EUV LLc联盟则押注更激进的极紫外技术，用仅有十几纳米的极紫外光，刻十纳米以下的芯片制程。
但技术都已经走到这地步，不管哪一种方法，做起来其实都不容易。
这时候tJd一个叫做林本坚的鬼才工程师出现了：
降低光的波长，光源出发是根本方法，但高中学生都知道，水会影响光的折射率——在透镜和硅片之间加一层水，原有的193nm激光经过折射，不就直接越过了157nm的堑，降低到132nm了吗！
林本坚拿着这项“沉浸式光刻”方案，跑遍米国、德国、东瀛等国，游各家半导体巨头，但都吃了闭门羹。甚至有某公司高层给tJdcoo蒋尚义捎了句狠话，让林本坚不要再搅局了。
毕竟这只是理想情况，在精密的机器中加水构建浸润环境，既要考虑实际性能，又要操心污染。如果为了这一条短期替代方案，耽误了光源研究，吃力不讨好只是其次，被对手反超可就不好看了。
于是，N康选择了在157nm上一条道走到黑，却没意识到背后有位虎视眈眈的搅局者。
当时尚是角色的A斯麦决定赌一把，相比之前在传统干式微影上的投入，押注浸润式技术则更有可能以博大。
于是就和林本坚一拍即合，仅用一年时间，就在2004年就拼全力赶出邻一台样机，并先后夺下Ibm和tJd等大客户的订单。
N康晚了半步，很快也就亮出了干式微影157nm技术的成品，但毕竟被A斯麦抢了头阵，更何况波长还略落后于对手。
等到一年后，N康又完成了对浸润式技术的追赶，可是客户却已经不承认“老情人”，毕竟GKJ又不是朋友玩具，更替要钱，学习更要成本。
其实早于1997年，在米国政府一手干预下，当N康被EUV LLc排挤在外时，就已经注定了如今GKJ市场一家独大的结局。
当年为了尝试突破193nm，Y特尔更倾向于激进的EUV方案，于是在1997年，就攒起了一个叫EUV LLc的联盟。
联盟中的名字个个如雷贯耳：除了Y特尔和牵头的米国能源部以外，还有m托罗拉、Amd、Ibm，以及能源部下属三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。
这些实验室绝对是米国科技发展的幕后英雄，之前的研究成果覆盖物理、化学、制造业、半导体产业的各种前沿方向，有核武器、超级计算机、国家点火装置，甚至还有二十多种新发现的化学元素。
资金到位，技术入场，人才云集，但偏偏联盟中的米国GKJ企业SVG、Ultratech早在80年代就被N康打得七零八落，根本烂泥扶不上墙。
于是，Y特尔就想拉来N康和A斯麦一起入伙。但问题在于，这两家公司，一个来自东瀛，一个来自尼德兰，都不是本土企业。
偏偏，米国政府又将EUV技术视为推动本国半导体产业发展的核心技术，并不太希望外国企业参与其中，更何况那些八十年代在半导体领域压了米国风头的东瀛企业。
但EUVGKJ又几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限。光源功率要求极高，透镜和反射镜系统也极致精密，还需要真空环境，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高。别是对国东瀛与尼德兰，就算是米国，想要一己之力自主突破这项技术，也是痴人梦。
米国自然不会给东瀛提供以后可能会扼住米国半导体咽喉的机会。
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